THỜI GIAN LÀM VIỆC
9:00AM - 21:00PM
(Kể cả Thứ 7 & Chủ Nhật)
Các báo cáo gần đây đã chỉ ra rằng, Samsung Galaxy S23 vừa đạt chứng nhận 3C của Trung Quốc. Thông qua dữ liệu này cho thấy cấu hình điện thoại sẽ được cung cấp sức mạnh từ chip xử lý Snapdragon 8 Gen 2. Trên thực tế, flagship của Samsung sẽ trở thành một trong những điện thoại đầu tiên sử dụng bộ xử lý hàng đầu của Qualcomm.
Tuy nhiên, việc trang bị chipset hàng đầu trên phân khúc điện thoại cao cấp cũng không có gì quá bất ngờ. Điều đáng chú ý là dữ liệu 3C tiết lộ rằng, Samsung Galaxy S23 chỉ hỗ trợ sạc nhanh có dây 25W. Điều này khiến không ít người hâm mộ thất vọng. Đối với một chiếc điện toại hàng đầu trong năm 2023 thì mức sạc nhanh 25W thực sự kém hơn khá nhiều so với các đối thủ.
Thậm chí, các mẫu OnePlus tầm trung hiện nay cũng được trang bị sạc nhanh có dây với công suất lên đến 150W. Trên thực tế, đối với các điện thoại Android có công suất sạc nhanh dưới 50W đều đáng kinh ngạc. Khả năng sạc nhanh của Galaxy S23 rõ ràng là bất lợi khi so sánh với các đối thủ Android khác. Nhưng đây là một lợi thê skhi so sánh với iPhone 14 series.
Samsung S22 Ultra được trang bị viên pin có dung lượng 5000mAh, hỗ trợ sạc với công suất 25W, cho phép sạc đầy trong khoảng 1 giờ. Trong khi đó, iPhone 14 Pro Max với bộ sạc 30W có thể sạc từ 0-100% khoảng 2 giờ. Thời lượng của iPhone dài gấp đôi so với điện thoại Samsung. Tuy nhiên, khi so sánh với các flagship khác của Trung Quốc thì những thiết bị này không bằng.
Hiện tại, iQOO 10 Pro có tính năng sạc nhanh có dây công suất 200W, có thể sạc viên pin lớn 4700 mAh lên 100% chỉ trong 10 phút. Có thể thấy trước rằng vào năm 2023, chúng ta sẽ thấy điện thoại thông minh Snapdragon 8 Gen2 hỗ trợ sạc nhanh đến 200W.
Đọc thêm: Thêm thông tin dung lượng pin Galaxy S23 được tiết lộ, thông số gần như hoàn thiện
Didongmy.com